삼성전자(005930) - D램 독주 지속된다...니혼게이자이 : 반도체 설비에서 기술산업으로/엘피다만이 경쟁 가능 - 한국의 삼성전자가 세계 최초로 90나노미터(nm, 1나노미터는 10억분의 1m) 공정의 D램 메모리 반도체 양산에 나설 것이라고 발표함에 따라 전세계 D램 시장의 초점이 설비투자에서 기술로 변화했다고 보도 - 삼성전자가 경쟁업체들보다 앞서 90nm D램을 생산함에 따라 다른 업체들보다 비용 경쟁력을 높이는 것은 물 론 선두업체로써 지위를 더욱 굳건히 할 수 있을 것이라고 평가 - 삼성전자는 최첨단 300nm 웨이퍼 생산라인에 90나노 미세 공정을 적용, 512메가비트 용량의 더블데이터레이트 (DDR) D램을 세계 최초로 생산한다고 9일 밝혔으며 D램 생산에 90나노 기술을 사용하면 기존 0.10마이크로미 터(㎛) 공정에 비해 반도체 생산성이 40% 가량 향상돼 그만큼 원가경쟁력을 높을 수 있음 - 엘피다 메모리의 사장인 사카모토 유키오는 "0.10㎛ 이후 서킷의 폭을좁히는 기술적 장애물은 매우 높다"고 지적 : NEC와 히타치가 합작으로 설립한 엘피다 메모리는 2005년 하반기 삼성전자에 앞서 차세대 85nm 공정의 반도 체를 대량 생산할 계획 : 엘피다는 시장점유율을 되찾기 위해 향후 3년간 5000억엔을 투자할 계획으로 현재로써는 엘피다가 삼성전자 의 90nm 기술에 도전할 유일한 회사라고 지적 보도 - 반면 미국의 마이크론테크놀로지는 0.11㎛ 수준에서 기술을 개선시키기 어렵다고 밝힌 바 있다. - 독일 인피니온테크놀로지와 대만의 난야 테크놀로지 등은 삼성전자가 공정을 0.10 ㎛ 미만으로 줄임에 따라 기술력을 따라잡기가 어려울 것으로 예상 ** 본 한경브리핑 서비스는 거래목적으로 사용될 수 없습니다. 또한, 정보의 오류 및 내용에 대해 당사는 어떠한 책임도 없으며, 단순 참고자료로 활용하시기 바랍니다.

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